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锗单晶电阻率直流四探针测量方法
2025-05-29
微析研究院
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国家标准
国家标准《锗单晶电阻率直流四探针测量方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准委。
主要起草单位南京中锗科技股份有限公司、北京国晶辉红外光学科技有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司。
主要起草人张莉萍 、焦欣文 、王学武 、普世坤 。
标准号：GB/T 26074-2010发布日期：2011-01-10实施日期：2011-10-01标准类别：方法中国标准分类号：H17国际标准分类号：77.040.99 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会主管部门：国家标准委
南京中锗科技股份有限公司云南临沧鑫圆锗业股份有限公司北京国晶辉红外光学科技有限公司
张莉萍焦欣文王学武普世坤
SJ/T 10314-1992 直流四探针电阻率测试通用技术条件GB/T 1551-2021 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法GB/T 39978-2021 纳米技术 碳纳米管粉体电阻率 四探针法YS/T 602-2007 区熔锗锭电阻率测试方法 两探针法YS/T 602-2017 区熔锗锭电阻率测试方法 两探针法SJ/T 10481-1994 硅外延层电阻率的面接触三探针方法20233945-T-610 硅片径向电阻率变化测量方法SJ/T 10625-1995 锗单晶中间隙氧含量的红外吸收测量方法DB13/T 5026.3-2019 石墨烯导电浆料物理性质的测定方法第3部分：浆料极片电阻率的测定四探针法DB/T 91-2022 直流地电阻率仪检测规范
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