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锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法
2025-05-29
微析研究院
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国家标准
国家标准《锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准委。
主要起草单位航空航天部8358研究所。
标准号：GB/T 11297.7-1989发布日期：1989-03-31实施日期：1990-01-01标准类别：方法中国标准分类号：L32归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会主管部门：国家标准委
航空航天部8358研究所
GB/T 11297.6-1989 锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法GB/T 11072-2009 锑化铟多晶、单晶及切割片SJ/T 11488-2015 半绝缘砷化镓电阻率、霍尔系数和迁移率测试方法GB/T 42271-2022 半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法20240185-T-339 电真空器件及电光源用钨、钼材料电阻率的测试方法20240136-T-469 金刚石单晶抛光片位错密度的测试方法20233951-T-610 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法GB/T 4192-1984 电真空器件及电光源用钨、钼材料电阻率的测试方法GB/T 19289-2019 电工钢带（片）的电阻率、密度和叠装系数的测量方法20241911-T-469 太阳能电池用硅单晶及硅单晶片
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