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硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法
2025-05-29
微析研究院
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国家标准
国家标准《硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法》由TC608（全国表面化学分析标准化技术委员会）归口，主管部门为中国科学院。
主要起草单位中国科学院化学研究所、中国计量科学研究院。
主要起草人刘芬 、王海 、赵良仲 、宋小平 、赵志娟 、邱丽美 。
标准号：GB/T 25188-2010发布日期：2010-09-26实施日期：2011-08-01标准类别：方法中国标准分类号：G04国际标准分类号：71.040.40 归口单位：全国表面化学分析标准化技术委员会执行单位：全国表面化学分析标准化技术委员会主管部门：中国科学院
中国科学院化学研究所中国计量科学研究院
刘芬王海赵志娟邱丽美赵良仲宋小平
20240165-T-469 表面化学分析 X射线光电子能谱 导电碳基材料结合能的测量SY 0066-1992 管道防腐层厚度的无损测量方法(磁性法)SY/T 0066-1999 钢管防腐层厚度的无损测量方法（磁性法）YS/T 14-2015 异质外延层和硅多晶层厚度的测量方法GB/T 31225-2014 椭圆偏振仪测量硅表面上二氧化硅薄层厚度的方法JB/T 5068-1991 金属覆盖层厚度测量 X射线光谱法20250729-T-469 碳化硅晶片表面杂质元素含量的测定 电感耦合等离子体质谱法20232750-T-469 表面化学分析 X射线光电子能谱分析方法通则20232363-T-469 表面化学分析X射线光电子能谱均匀材料中元素检测限的评估和报告YS/T 14-1991 导质外延层和硅夕晶层厚度测量方法
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